Ток в полупроводниках диоды и транзисторы
Описание работы
Содержание
1 Теоретические вопросы протекания тока в диодах и транзисторах 4
1.1 Понятие и протекание тока в диодах 4
1.2 Понятие и особенности протекания тока в транзисторах 6
Список использованных источников 21
Введение
В современной электронной технике применяют полупроводниковые приборы, в которых используют полупроводниковые материалы.
Самым простым полупроводниковым прибором является диод, который снабжен двумя электродами (катод и анод), и использует показатель односторонней проводимости (вентильности) электрического перехода. В качестве этого перехода максимальную распространенность получил p-n переход, который образуется в кристалле полупроводника на границе двух слоев, один из которых можно охарактеризовать при помощи дырочной проводимости (р-слой), а другой – электронной (n-слой). На границе этих слоев установлены условия, который создают препятствие для взаимного проникновения главных носителей заряда из одного слоя в другой. Это можно объяснить тем фактом, что при диффузии дырок, основных носителей заряда р-слоя, в n – слой и электронов, основных носителей заряда n-слоя, в р-слой по обе стороны границы образуются нескомпенсированные заряды неподвижных ионов, а именно: пришедшие в n-слой дырки нейтрализуются при помощи электронов этого слоя, в результате этого получается избыток положительных зарядов, а пришедшие в р-слой электроны нейтрализуются при помощи дырок данного слоя, в итоге создается переизбыток отрицательных зарядов.
Биполярный транзистор содержит два p-n перехода, которые образуют три слоя полупроводниковых материалов с чередующимися видами проводимостей.
Целью данной работы является изучение тока в полупроводниках, диоды и транзисторы.
В соответствии с поставленной целью необходимо решить ряд задач, таких как:
- рассмотреть понятие и протекание тока в диодах;
- раскрыть понятие и особенности протекания тока в транзисторах;
- охарактеризовать особенности обеспечения благоприятного переключения транзисторов инвертора тока в преобразователях со звеном повышенной частоты.
Объектом исследования являются транзисторы и диоды, предметом – особенности протекания тока в них.
